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晶圓表面缺陷檢測是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的一步，直接影響到芯片的性能、可靠性和良品率。隨著集成電路（IC）技術(shù)的不斷進(jìn)步，晶圓尺寸的不斷縮小，缺陷檢測的難度也隨之增加。因此，精準(zhǔn)、快速的晶圓表面缺陷檢測技術(shù)成為了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中的研究熱點(diǎn)...
硅片厚度測量儀是采用紅外干涉技術(shù)的一款測量儀器。它能夠精確測量硅片厚度和測量TTV總厚度變化，也能實(shí)時(shí)測量超薄晶圓厚度（掩膜過程中的晶圓），硅片厚度測試儀非常適合晶圓的研磨、蝕刻、沉淀等厚度測量應(yīng)用。硅片厚度測量儀具有突出優(yōu)勢，諸多材料例如Si、GaAs、InP、SiC、玻璃、石英以及其他聚合物在紅外光束下都是透明的，非常容易測量，標(biāo)準(zhǔn)的測量空間分辨率可達(dá)50微米，更小的測量點(diǎn)也可以做到。目前，儀器可廣泛用于MEMS、晶圓、電子器件、膜厚、激光打標(biāo)雕刻等工序或器件的測量。該硅...
電容式位移傳感器基于平板電容原理。電容的兩極分別是傳感器和與之相對的被測物體。如果有穩(wěn)定交流電通過傳感器，輸出交流電的電壓會與傳感器到被測物體之間的距離成正比關(guān)系，從而可以通過測量電壓的變化得到距離信息。電容位移傳感器是一種非接觸電容式原理的精密測量儀器，具有一般非接觸式儀器所共有的無磨擦、無損磨特點(diǎn)外，還具有信噪比大，靈敏度高，零漂小，頻響寬，非線性小，精度穩(wěn)定性好，抗電磁干擾能力強(qiáng)和使用操作方便等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中電容式傳感器可以實(shí)現(xiàn)近乎的線性測量。但是，電容傳感器要求探...
顯微鏡秒變光刻機(jī)！--顯微鏡LED曝光單元電子顯微鏡和光刻機(jī)，兩個(gè)看上去風(fēng)馬牛不相及的東西，是如何結(jié)合到一起的？我們向您介紹一款無掩膜顯微鏡LED曝光單元UTA-3A-53M，能令顯微鏡秒變光刻機(jī)！該設(shè)備是一種具有高性價(jià)比的曝光裝置，其DLP固定在顯微鏡的三目鏡部分，而照相機(jī)則固定在目鏡部分?？梢詫Ｓ贸绦虍a(chǎn)生的圖案投影并在顯微鏡下曝光在樣品上。＜特征＞?顯微鏡LED曝光單元UTA系列是用于光刻的無掩模圖案投影曝光設(shè)備。?使用金屬顯微鏡和LED光源DLP投影儀，將分辨率為幾μ...
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200:微米級定位精度自動化薄膜厚度測繪系統(tǒng)介紹FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自動薄膜厚度測繪系統(tǒng)，用于全自動圖案化晶圓上的單層和多層涂層厚度測量。電動X-Y載物臺提供適用尺寸200mmx200mm毫米的行程,通過真空固定在載臺上時(shí)進(jìn)行精確測量。可依測量厚度和波長范圍應(yīng)用需求可在在200-1700nm光譜范圍內(nèi)提供各種光學(xué)配置.應(yīng)用o大學(xué)&研究實(shí)驗(yàn)室o半導(dǎo)體（氧化物、氮化物、Si、抗蝕劑等）oMEMS器件（光刻...
1.摘要本研究探討了同質(zhì)外延生長的4H-SiC晶片表面堆垛層錯(cuò)(SF)的形貌特征和起因。依據(jù)表面缺陷檢測設(shè)備KLA-TencorCS920的光致發(fā)光(PL)通道和形貌通道的特點(diǎn),將SF分為五類。其中I類SF在PL通道圖中顯示為梯形,在形貌圖中不顯示;II類SF在PL通道圖中顯示為三角形,且與I類SF重合,在形貌圖中顯示為胡蘿卜形貌。III-V類SF在PL通道圖中均顯示為三角形,在形貌圖中分別顯示為胡蘿卜、無對應(yīng)圖像或三角形。研究結(jié)果表明,I類SF起源于襯底的基平面位錯(cuò)(BPD...
